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09: Digitaltechnik und Entwurfsverfahren, Vorlesung, SS 2016, am 19.05.2016

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09 | 0:00:00 Starten 0:00:06 Kapitel 3.1.7 NAND/NOR 0:01:15 NAND-Konvertierung 0:04:14 NAND(2)/NAND(3)-Funktion 0:06:17 NAND(k)-Funktion 0:08:20 NOR-Konversion 0:11:25 NOR-Funktion 0:14:01 Kapitel 3.2 Realisierung von Schaltnetzen 0:15:11 Kapitel 3.2.1 Gatterebene 0:15:57 Bedeutung der Zeichen 0:16:48 Äquivalenz-Gatter 0:17:51 Antivalenz-Gatter 0:21:01 Halbleiter-Grundlagen 0:21:35 Halbleiter (Silizium, Germanium) 0:36:34 pn-Übergang 0:40:17 Isr der Widerstand der Sperrschicht steuerbar? 0:41:49 Dioden-Kennlinie 0:42:25 Wie kann man daraus ein steuerbares technisches Baulement machen? 0:45:19 Bipolar-Transistor 0:46:35 Funktionsweise: npn-Transistor 0:48:36 MOSFET 0:51:34 Selbstsperrende n-Kanal-MOSFETs 1:01:43 Selbstsperrende p-Kanal-MOSFETs 1:04:11 Selbstleitende n-Kanal-MOSFETs 1:06:12 Schaltsymbole für MOSFETs 1:08:38 Kapitel 3.2.2 Schalterebene 1:09:24 Transistor als Schalter 1:10:26 Schaltfähigkeit

First published

06/02/2016

Genres

education

Duration

84 minutes

Parent Podcast

Digitaltechnik und Entwurfsverfahren, SS16, Vorlesung

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Episode Description

09 | 0:00:00 Starten 0:00:06 Kapitel 3.1.7 NAND/NOR 0:01:15 NAND-Konvertierung 0:04:14 NAND(2)/NAND(3)-Funktion 0:06:17 NAND(k)-Funktion 0:08:20 NOR-Konversion 0:11:25 NOR-Funktion 0:14:01 Kapitel 3.2 Realisierung von Schaltnetzen 0:15:11 Kapitel 3.2.1 Gatterebene 0:15:57 Bedeutung der Zeichen 0:16:48 Äquivalenz-Gatter 0:17:51 Antivalenz-Gatter 0:21:01 Halbleiter-Grundlagen 0:21:35 Halbleiter (Silizium, Germanium) 0:36:34 pn-Übergang 0:40:17 Isr der Widerstand der Sperrschicht steuerbar? 0:41:49 Dioden-Kennlinie 0:42:25 Wie kann man daraus ein steuerbares technisches Baulement machen? 0:45:19 Bipolar-Transistor 0:46:35 Funktionsweise: npn-Transistor 0:48:36 MOSFET 0:51:34 Selbstsperrende n-Kanal-MOSFETs 1:01:43 Selbstsperrende p-Kanal-MOSFETs 1:04:11 Selbstleitende n-Kanal-MOSFETs 1:06:12 Schaltsymbole für MOSFETs 1:08:38 Kapitel 3.2.2 Schalterebene 1:09:24 Transistor als Schalter 1:10:26 Schaltfähigkeit

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