Эффект сверхпроводящей памяти в дителлуриде урана UTe2

Научная статья описывает обнаружение уникального эффекта памяти в сверхпроводящем материале дителлуриде урана (UTe₂), который управляется электрическими импульсами. Исследователи выяснили, что воздействие тока позволяет переключать систему между состояниями с разной пропускной способностью, причем выбранное состояние сохраняется в течение длительного времени. В отличие от существующих аналогов, эта функция является внутренним свойством самого вещества и не требует создания сложных многослойных структур. Авторы связывают это явление с особенностями поведения магнитных вихрей, которые могут переходить в устойчивую неупорядоченную конфигурацию. Данное открытие открывает путь к созданию энергоэффективных элементов памяти для криогенных компьютеров и передового квантового оборудования. Использование подобных технологий может радикально повысить производительность вычислительных систем за счет минимального энергопотребления.