EPISODE · Dec 19, 2023 · 19 MIN
EP12. 當GaN FET也能跟MOSFET一樣時，功率設計不再需要小心翼翼 Ft. CGD亞太區陳雪蕙銷售副總裁
from Tech666 · host puni.li
GaN FET在第三代半導體領域一直是重要的話題，但事實上，GaN的耐電壓能力相當有限，與溫度變化也有直接關係，若不甚注意，輕則影響可靠度表現，重則讓元件毀損。所以，好的獨立GaN ET元件，要讓工程師可以放心地設計功率系統需要什麼樣的條件呢？來賓：CGD亞太區陳雪蕙銷售副總裁本集節目要點： 5~600W以下功率系統設計，控制晶片便能直接驅動MOSFET。 GaN FET整合邏輯電路， 讓GaN FET也能與MOSFET相同，使其便於系統設計。 溫度高度影響GaN FET耐受電壓表現，關鍵在於有無整合溫度補償電路。—–收聽《姚姚Tech666》：https://tinyurl.com/yt7pqknp更多科技趨勢https://pse.is/4drbp9留言心得回饋 https://pse.is/4ee2ft異業合作洽詢[email protected]廣告合作請洽 [email protected]分機208 王小姐
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