【Tech666】EP146：【HPC】GaN元件結構大步邁進，BDS可望攻進Sidecar供電機櫃 ft. 台灣英飛凌科技協理 張文貴

掌握前瞻趨勢與科技脈動，立即訂閱 IC之音電子報：https://pse.is/8wpwwx   -------------------------------------------------------------------本集必聽：(00:00:00) 開場(00:03:52) GaN功率元件在伺服器48V降壓 IBC也能有發揮空間，關鍵在Rdson表現優於矽製程MOSFET(00:09:17) HVDC 800V的PSU與IBC如何定義，英飛凌一次說明白(00:19:54) BDS成新一代GaN元件發展關鍵，Sidecar供電機櫃或有望採用 -------------------------------------------------------------------製作 | 李翊嘉科技產業瞬息萬變，訊息有真有假、有輕有重， 我們如何在最短的時間內，掌握最重要的資訊？DIGITIMES 與商周攜手推出聯合方案，帶你看懂商業，也看透科技，雙重專業視角幫助你全方位掌握產業趨勢。了解「DIGITIMES 與商周聯購方案」：https://dgt.ms/app_subscribe